Buenas, no es que me vaya a comprar ninguna memoria, pero he visto que la gente pone sus CL (cas Latency) al nombrar las memorias que tienen. Yo me pregunto que significan? Es que veo 3-4-4, 2-3-3, 2.5-3-2-4 y cosas asi, y me gustaría saber que significa cada uno de los números.
Asias por responder 
eso mismo me preguntaba. Aunq lo unico q se ( q es de logica xD) es q mientras menos, se ve q es mejor 
Por lo general cuanto más bajos sean los números, menos latencia, y por lo tanto mejor rendimiento.
No obstante no lo tomes al pie de la letra, a veces resulta que según que placa con qué memoria corre más a 2-2-2-7 que a 2-2-2-5 por ejemplo.
En el caso de la NF7 por ejemplo los timings más rápidos son 2-2-2-11, hay uno que siempre, siempre, será más rápido, el CAS Latency (lo verás en la bios) ése siempre que puedas y que la mem te lo permita ponlo a 2, con el resto hay que jugar y jugar hasta encontrar la mejor combinación, en el ejemplo anterior de la NF7 esos timings son los que más bandwidth dan, comprobado en el Sandra, por mi y bastante gente de OCAU y XS forums.
H os dará una explicación mucho más técnica y detallada cuando lea este thread, de ello estoy seguro.
Apocalipsis.
http://www.media-vida.net/vertema.php?fid=3&tid=54819
#5
Pues como bien dice el Hermano Apocalipsis, las latencias son penalizaciones impuestas en los procesos de lectura/escritura/precharge......
El factor mas importante que acentúa los retardos de las latencias de lecturas es con mucho el tiempo de respuesta de las memorias o latencias de acceso.
Como el ciclo de reloj del SISTEMA y el ciclo de RELOJ INTERNO del micro cada vez son mas cortos comparados con los tiempos de acceso de la memoria, los ciclos de BUS CLOCK y los ciclos de la CPU CLOCK estan siendo desperdiciados por la memoria para responder sus datos
Es por esta razón que los fabricantes de hardware y los diseñadores de integrados generaron una serie de parámetros para un uso general.
SDRAM al igual que DDRAM no es infinitamente rapida. La memoria esta basada en capacitores, puentes de transistores, lineas de bits,etc...
Los capacitores y lineas tienen que ser prealimentados y los strobes de direccionamiento (celdillas para que lo entendais) necesitan tiempo para fijarse en la correcta posición para poder cazar los datos que les envia el micro.
El tipico ciclo da comienzo cuando un banco activa los comandos que seleccionan y activan 1 banco concreto y una linea de memoria a traves de sus pines de salida
Durante el siguiente ciclo, los datos son seleccionados en los bitlines y van hacia una especie de amplificadores.
Cuando los bits de datos alcanzan los amplificadores esos datos son tratados mediante una señal de reloj interna
ESTE PROCESO que hemos resumido es llamado RAS-to-CAS delay con una latencia de 2-3 ciclos. Cuanto mas corto sea ese ciclo, mayor impacto en el rendimiento percibiremos. Este parámetro por definición solo es solo importante en el primer comando de lectura después que la pagina se haya completado
Después de este delay de un par de ciclos un comando de lectura selecciona el direccionamiento de la primera word que leeran los amplificadores.
Después del comando de lectura hay otro CAS delay o latencia mientras los datos se seleccionan desde los amplificadores hasta los pines de salida. Esta CAS Latency suele ser de 2 – 3 ciclos, y en el mejor de los casos 1.5.
Una vez que los datos son liberados en el BUS otra word repite el ciclo hasta que todos la secuencia se completa.
El termino q mas me preguntais es el CAS Latency o CAS Delay:
CAS LATENCY: Las latencias de la memoria varuan dependiendo de la calida de los chips que integren la memoria. Los tipicos valores en SDRAM son 2-3. Como sabeis, CAS-2 significa que los datos saldran en el segundo ciclo ascendente después de un comando de lectura, mientras que CAS-3 significa que los datos de salida lo realizan en el tercer ciclo ascendente de reloj después de un comando de lectura.
Cuanto menor sea ese numero mayor impacto tendra en el rendimiento
Ya me ireis contando
H
Entonces H, sería la cosa más o menos asi:
3 (ras2cas) - 3 (ras precharge) - 2.5 (cas latency) - 7 (cicle time, tras) - 10 (bank cicle time, trc)
Esto sería asi, no? el último, según he entendido de apocalipsis, es el tiempo que tarda en hacer los ciclos de memoria completamente, no? o es el ciclo del banco de memoria?
Muchas gracias H por responder técnicamente a la pregunta , otros simplemente me hubieran dicho lo que es cada uno, gracias a ti ya se porque los números van asi.
PD: los timmings esos son los de mis memorias xD